通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阳率越低.转换效率越高:发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响.发射极掺杂浓度低于70x109cm一时电池各项性能参数都极美.TCO薄膜功函数应大干52eV以保证载流子的输运收集。