硅片表面附着的纳米粒子污染物可导致芯片缺陷的产生，传统的化学清洗方法存 在着易对硅片产生二次污染的不足。近年来发展起来的激光诱导等离子体冲击波清洗 技术是一项能够有效地清除基底表面吸附粒子的新技术，该技术以清洗定位准确、可 避免传统的化学清洗方法对样品所带来的二次污染以及适用范围广等诸多优点正在被 各个领域广泛地使用，这为半导体工业加工中硅基片表面纳米尺度粒子污染物的清洗 提供了一种新的途径