随着科学技术的飞速发展 ，


集成度迅速提高 ， 器件 的特征尺寸不 断减小 ， 对于衬 底 片表面状态的要求更加严格 。 衬底 的表面状态及污染物的去除程度是影 响 晶片优 良率和 器件质量与可靠性 的最重要的因素之一 。 在


的制备过程 中 ， 氧化 、 外延 、 扩散 、 光 刻 以及 多层布线的全局平面化等工序都要涉及到去 除污 染物的清洗 ， 清洗最多可 以达到
多次 。 目前清洗不 但要 去 除硅片表面 的有机物而且需要去 除的颗粒尺 寸 已 经达到 了纳 米 级 ， 金属 离子达到 了

级 。 因此发 明适应超大规模集成 电路要求的新型 的清洗液和 新型 的清洗技术是 当务之 急