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利用外电场对纳米光电材料实现可控制备及精准调控
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-Zn-doped NiO with an amorphous silicon interface passovation layer-Kean Khoo
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根据友达光电使用CVD形成的微晶硅,试制出的32in电视用TFT液晶面板来看,与非晶硅(a-Si)相比,采用μCSi-TFT有可能获得更高的迁移率,另外,还可实现用多晶硅p-Si-TFT难以实现的、基于第5带以后大尺寸底板的工艺。
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多晶硅片加工设备切割模块改造及其切割质量研究
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单晶金刚石p型和n型掺杂的研究
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